Electronic properties of thin GaP layers grown on silicon wafers - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Electronic properties of thin GaP layers grown on silicon wafers

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01474776

Soumis le : jeudi 23 février 2017-10:45:13

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01474776 , version 1 (23-02-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01474776 , version 1

Citer

Artem Baranov, A.S. Gudovskikh, I. Morozov, A. Mozharov, Arouna Darga, et al.. Electronic properties of thin GaP layers grown on silicon wafers. Journées Nationales du Photovoltaïque (JNPV 2016), Nov 2016, Dourdan, France. ⟨hal-01474776⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UPMC CNRS CENTRALESUPELEC GEEPS PHEMADIC UNIV-PARIS-SACLAY SORBONNE-UNIVERSITE SU-SCIENCES GS-ENGINEERING GS-PHYSIQUE INSTITUT-SCIENCES-LUMIERE
230 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More