Direct Growth of Crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: Towards Hybrid Tunnel Junctions for III-V/Si Tandem Cells - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Direct Growth of Crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: Towards Hybrid Tunnel Junctions for III-V/Si Tandem Cells

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01632921

Soumis le : vendredi 10 novembre 2017-17:25:18

Dernière modification le : jeudi 1 août 2024-13:48:05

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Dates et versions

hal-01632921 , version 1 (10-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01632921 , version 1

Citer

Gwenaëlle Hamon, Nicolas Vaissiere Vaissière, Jean Decobert, Raphaël Lachaume, Romain Cariou, et al.. Direct Growth of Crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: Towards Hybrid Tunnel Junctions for III-V/Si Tandem Cells. 13th International Conference on Concentrator Photovoltaic Systems (CPV 13), May 2017, Ottawa, Canada. ⟨hal-01632921⟩

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