Electrical characterization of low temperature plasma epitaxial Si grown on highly doped Si substrates - CentraleSupélec
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Electrical characterization of low temperature plasma epitaxial Si grown on highly doped Si substrates

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-02344032

Soumis le : dimanche 3 novembre 2019-19:10:51

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-13:28:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02344032 , version 1 (03-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02344032 , version 1

Citer

Cyril Léon, Sylvain Le Gall, Marie-Estelle Gueunier-Farret, Jean-Paul Kleider, Pere Roca I Cabarrocas Roca I Cabarrocas. Electrical characterization of low temperature plasma epitaxial Si grown on highly doped Si substrates. 28th International Conference on Amorphous and nanocrystalline Semiconductors (ICANS 28), Aug 2019, Palaiseau, France. ⟨hal-02344032⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

X CNRS X-PICM X-DEP-PHYS LPICM CENTRALESUPELEC GEEPS PHEMADIC UNIV-PARIS-SACLAY SORBONNE-UNIVERSITE SU-SCIENCES IP_PARIS GEEPS-MATERIAU GS-ENGINEERING GS-PHYSIQUE INSTITUT-SCIENCES-LUMIERE
82 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More