Conception et réalisation d'une inductance active à fort coefficient de qualité et forte linéarité en technologie CMOS 65nm
Abstract
Cette publication détaille la conception et la réalisation d'une inductance active différentielle en technologie CMOS 65nm. Celle-ci est conçue dans un but de forte linéarité et de fort facteur de qualité (Q>1000). Le défit réside dans la conception même de l'inductance sur une plage de puissance d'entrée allant de -40 à 0dBm. Deux inductances actives ont été conçues et réalisées (0.8nH et 1.1nH). Nous montrons l'intérêt d'utiliser de telles inductances dans les différents blocs d'une chaine d'émission ou de réception reconfigurable.